韓国のサムスン電子は、最先端のメモリー技術の一端を披露し、性能と電力効率の向上を強調した。韓国SKハイニックスや米マイクロン・テクノロジーとの長期的な主導権争いで優位に立つ狙いがある。 新システムは、AIアクセラレーターの上に広帯域メモリー（HBM）を垂直に積層する。次世代のHBM5と比べ、約8倍の性能を実現するとサムスンは発表資料で説明した。先端的なウエハー接合技術を使い、メモリー密度もHBM5 ...